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FDMC8097AC

FDMC8097AC

Solo per riferimento

Numero parte FDMC8097AC
PNEDA Part # FDMC8097AC
Descrizione MOSFET N/P-CH 150V
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.448
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMC8097AC Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMC8097AC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMC8097AC, FDMC8097AC Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 652,42 KB)
PDFFDMC8097AC Datasheet Copertura
FDMC8097AC Datasheet Pagina 2 FDMC8097AC Datasheet Pagina 3 FDMC8097AC Datasheet Pagina 4 FDMC8097AC Datasheet Pagina 5 FDMC8097AC Datasheet Pagina 6 FDMC8097AC Datasheet Pagina 7 FDMC8097AC Datasheet Pagina 8 FDMC8097AC Datasheet Pagina 9 FDMC8097AC Datasheet Pagina 10 FDMC8097AC Datasheet Pagina 11

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FDMC8097AC Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds395pF @ 75V
Potenza - Max1.9W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-Power33 (3x3)

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

767pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

ALD110808ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

810mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 20V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

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