FDMA3027PZ
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| Numero parte | FDMA3027PZ |
| PNEDA Part # | FDMA3027PZ |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 3.3A MICRO |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.540 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMA3027PZ Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMA3027PZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMA3027PZ Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Potenza - Max | 700mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 30V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore 6-CSP (1.77x3.54) |
