FDG6304P-X
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| Numero parte | FDG6304P-X |
| PNEDA Part # | FDG6304P-X |
| Descrizione | INTEGRATED CIRCUIT |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.992 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDG6304P-X Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDG6304P-X |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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FDG6304P-X Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 20V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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