Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FDC699P

FDC699P

Solo per riferimento

Numero parte FDC699P
PNEDA Part # FDC699P
Descrizione MOSFET P-CH 20V 7A SSOT-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.986
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDC699P Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDC699P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDC699P, FDC699P Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 162,45 KB)
PDFFDC699P_F077 Datasheet Copertura
FDC699P_F077 Datasheet Pagina 2 FDC699P_F077 Datasheet Pagina 3 FDC699P_F077 Datasheet Pagina 4 FDC699P_F077 Datasheet Pagina 5 FDC699P_F077 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • FDC699P Datasheet
  • where to find FDC699P
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDC699P
  • FDC699P PDF Datasheet
  • FDC699P Stock

  • FDC699P Pinout
  • Datasheet FDC699P
  • FDC699P Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDC699P Price
  • FDC699P Distributor

FDC699P Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2640pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT™-6 FLMP
Pacchetto / Custodia6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

I prodotti a cui potresti essere interessato

FQA70N10

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

TSM2NB60CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

249pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

44W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTH40N30

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

MegaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

BUK9Y3R0-40E,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5962pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

194W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

NVMS5P02R2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.95A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Venduto di recente

SMBJ15A-13-F

SMBJ15A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 15V 24.4V SMB

PIC12F629-I/SN

PIC12F629-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1.75KB FLASH 8SOIC

3296W-1-203LF

3296W-1-203LF

Bourns

TRIMMER 20K OHM 0.5W PC PIN TOP

SBR05U20LPS-7

SBR05U20LPS-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 20V 500MA 2DFN

MAX3243EEAI+T

MAX3243EEAI+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/5 28SSOP

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

AD629ARZ

AD629ARZ

Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8SOIC

CY14B256KA-SP25XI

CY14B256KA-SP25XI

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP

TCA785

TCA785

Infineon Technologies

IC PHASE CONTROL 250MA OUT 16DIP

TR3C107K010C0100

TR3C107K010C0100

Vishay Sprague

CAP TANT 100UF 10% 10V 2312

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

74F175SCX

74F175SCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 4BIT 16SOIC