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FDC697P_F077

FDC697P_F077

Solo per riferimento

Numero parte FDC697P_F077
PNEDA Part # FDC697P_F077
Descrizione MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.788
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 23 - giu 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDC697P_F077 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDC697P_F077
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDC697P_F077, FDC697P_F077 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 159,11 KB)
PDFFDC697P Datasheet Copertura
FDC697P Datasheet Pagina 2 FDC697P Datasheet Pagina 3 FDC697P Datasheet Pagina 4 FDC697P Datasheet Pagina 5 FDC697P Datasheet Pagina 6

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FDC697P_F077 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3524pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT™-6 FLMP
Pacchetto / Custodia6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7676pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

143W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

RE1L002SNTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT3F (SOT-416FL)

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

BSP170PE6327T

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

Pacchetto / Custodia

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STDLED623

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

620V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

135A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5110pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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