FDB2572
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| Numero parte | FDB2572 |
| PNEDA Part # | FDB2572 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.260 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDB2572 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDB2572 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FDB2572 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta), 29A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 135W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 150mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.58nC @ 10V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 250mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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