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FD900R12IP4DBOSA1

FD900R12IP4DBOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FD900R12IP4DBOSA1
PNEDA Part # FD900R12IP4DBOSA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 1200V 900A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.754
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FD900R12IP4DBOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFD900R12IP4DBOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FD900R12IP4DBOSA1, FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.767,26 KB)
PDFFD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Copertura
FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 2 FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 3 FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 4 FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 5 FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 6 FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 7 FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 8 FD900R12IP4DBOSA1 Datasheet Pagina 9

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FD900R12IP4DBOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle Chopper
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)900A
Potenza - Max5100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 900A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce54nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

134A

Potenza - Max

463W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

75µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

CM300DY-24S

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

2270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FP15R12W1T4B3BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Potenza - Max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

890pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF450R33T3E3P6BPMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

XHP™3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

450A

Potenza - Max

1000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

AG-XHP100-3

FS900R08A2P2B32BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

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-

Pacchetto / Custodia

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