Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FCPF11N60

FCPF11N60

Solo per riferimento

Numero parte FCPF11N60
PNEDA Part # FCPF11N60
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 12.468
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FCPF11N60 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFCPF11N60
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FCPF11N60, FCPF11N60 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 868,18 KB)
PDFFCPF11N60T Datasheet Copertura
FCPF11N60T Datasheet Pagina 2 FCPF11N60T Datasheet Pagina 3 FCPF11N60T Datasheet Pagina 4 FCPF11N60T Datasheet Pagina 5 FCPF11N60T Datasheet Pagina 6 FCPF11N60T Datasheet Pagina 7 FCPF11N60T Datasheet Pagina 8 FCPF11N60T Datasheet Pagina 9 FCPF11N60T Datasheet Pagina 10 FCPF11N60T Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • FCPF11N60 Datasheet
  • where to find FCPF11N60
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FCPF11N60
  • FCPF11N60 PDF Datasheet
  • FCPF11N60 Stock

  • FCPF11N60 Pinout
  • Datasheet FCPF11N60
  • FCPF11N60 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FCPF11N60 Price
  • FCPF11N60 Distributor

FCPF11N60 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSuperFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1490pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)36W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

I prodotti a cui potresti essere interessato

NTMFS4936NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A (Ta), 79A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3044pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

920mW (Ta), 43W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

IRFR9014N

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IMZ120R090M1HXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1.2kV

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 8.5A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.7V @ 3.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 18V

Vgs (massimo)

+23V, -7V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

707pF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

115W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4-1

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (massimo)

+10V, -20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6510pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK+

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFDC20

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

320mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Venduto di recente

74HC4538D

74HC4538D

Toshiba Semiconductor and Storage

X34 PB-F 74HC CMOS LOGIC IC SERI

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

IS61WV25616BLL-10TLI

IS61WV25616BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

MAX6369KA-T

MAX6369KA-T

Maxim Integrated

IC WATCHDOG TIMER SOT23-8

LT1963AEST-3.3#TRPBF

LT1963AEST-3.3#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

NAND128W3A2BN6E

NAND128W3A2BN6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP

TS30013-M050QFNR

TS30013-M050QFNR

Semtech

IC REG BUCK 5V 3A 16QFN

D44VH10G

D44VH10G

ON Semiconductor

TRANS NPN 80V 15A TO220AB

SRN8040-R50Y

SRN8040-R50Y

Bourns

FIXED IND 500NH 10A 7 MOHM SMD

VUB72-12NOXT

VUB72-12NOXT

IXYS

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK

L5973ADTR

L5973ADTR

STMicroelectronics

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8HSOP