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FCD620N60ZF

FCD620N60ZF

Solo per riferimento

Numero parte FCD620N60ZF
PNEDA Part # FCD620N60ZF
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 19.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FCD620N60ZF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFCD620N60ZF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FCD620N60ZF, FCD620N60ZF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 863,57 KB)
PDFFCD620N60ZF Datasheet Copertura
FCD620N60ZF Datasheet Pagina 2 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 3 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 4 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 5 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 6 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 7 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 8 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 9 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 10 FCD620N60ZF Datasheet Pagina 11

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FCD620N60ZF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieHiPerFET™, Polar™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs620mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1135pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)89W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

IXUN280N10

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 140A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

440nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

770W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

BSM400C12P3G202

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 106.8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

+22V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17000pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1570W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Pacchetto / Custodia

Module

AUIRFS4127TRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5380pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta), 19A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

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