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ETD34/17/11-3F36

ETD34/17/11-3F36

Solo per riferimento

Numero parte ETD34/17/11-3F36
PNEDA Part # ETD34-17-11-3F36
Descrizione ER AND ETD CORES
Produttore Ferroxcube
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ETD34/17/11-3F36 Risorse

Brand Ferroxcube
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteETD34/17/11-3F36
CategoriaPotenzaMagneticanuclei di ferrite
Datasheet
ETD34/17/11-3F36, ETD34/17/11-3F36 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 71,32 KB)
PDFETD34/17/11-3C97-G500 Datasheet Copertura
ETD34/17/11-3C97-G500 Datasheet Pagina 2

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ETD34/17/11-3F36 Specifiche

ProduttoreFerroxcube
Serie*
Tipo di nucleoETD
Pacchetto dispositivo fornitoreETD 34 x 17 x 11
Materiale3F36
Diametro-
Fattore di induttanza (Al)-
Tolleranza-
Gap-
Permeabilità effettiva (µe)-
Permeabilità iniziale (µi)-
Core Factor (ΣI / A) mm 1 -
Lunghezza effettiva (le) mm-
Area effettiva (Ae) mm²-
Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²-
Volume magnetico effettivo (Ve) mm³-
FineUncoated
Altezza17.30mm
Lunghezza35.00mm
Larghezza11.10mm

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Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

E

Pacchetto dispositivo fornitore

E 64 x 10 x 50

Materiale

3C95

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

10.20mm

Lunghezza

64.00mm

Larghezza

50.80mm

B65661N0400A048

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B65661

Tipo di nucleo

-

Pacchetto dispositivo fornitore

P 22 x 13

Materiale

N48

Diametro

22.00mm

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

2300

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.5

Lunghezza effettiva (le) mm

31.6

Area effettiva (Ae) mm²

63

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

1990

Fine

Uncoated

Altezza

6.80mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

ER

Pacchetto dispositivo fornitore

ER 23 x 3.6 x 13

Materiale

3C97

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

400nH

Tolleranza

±7%

Gap

Gapped

Permeabilità effettiva (µe)

170

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.53

Lunghezza effettiva (le) mm

26.6

Area effettiva (Ae) mm²

50.2

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

50

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

1340

Fine

Uncoated

Altezza

3.60mm

Lunghezza

23.20mm

Larghezza

12.50mm

B64290L0048X065

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B64290

Tipo di nucleo

Toroid

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

T65

Diametro

35.50mm

Fattore di induttanza (Al)

6.4µH

Tolleranza

±30%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

5000

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.99

Lunghezza effettiva (le) mm

82.06

Area effettiva (Ae) mm²

82.6

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

6778

Fine

Epoxy

Altezza

13.60mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

B65887P0000R095

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

-

Tipo di nucleo

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

-

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

-

Altezza

-

Lunghezza

-

Larghezza

-

Venduto di recente

STBB1-APUR

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STMicroelectronics

IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN

M25P64-VMF6P

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W

TPSC107M016R0200

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CAP TANT 100UF 20% 16V 2312

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FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

MAX3232CSE+T

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MPC9448ACR2

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IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

SMAJ30CA

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TVS DIODE 30V 48.4V SMA

LTC6363IMS8#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8MSOP

MC68HC908GP32CFB

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NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

ZXMN3A01FTA

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

TS27L2CDT

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STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

CRM2512-JW-103ELF

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RES SMD 10K OHM 5% 2W 2512