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ES1J-TP

ES1J-TP

Solo per riferimento

Numero parte ES1J-TP
PNEDA Part # ES1J-TP
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.376
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ES1J-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteES1J-TP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
ES1J-TP, ES1J-TP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 313,02 KB)
PDFES1C-TP Datasheet Copertura
ES1C-TP Datasheet Pagina 2 ES1C-TP Datasheet Pagina 3 ES1C-TP Datasheet Pagina 4

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ES1J-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.35V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (HSMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-50°C ~ 150°C

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SR002HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

VS-MBR1100TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

SS2H10HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

790mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

80A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 80A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

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Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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