EPC2101ENGRT
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| Numero parte | EPC2101ENGRT |
| PNEDA Part # | EPC2101ENGRT |
| Descrizione | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 35.766 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2101ENGRT Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2101ENGRT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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EPC2101ENGRT Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSST |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore V-DFN3030-8 (Type J) |
