EPC2101ENGRT
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Numero parte | EPC2101ENGRT |
PNEDA Part # | EPC2101ENGRT |
Descrizione | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
Produttore | EPC |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 35.766 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2101ENGRT Risorse
Brand | EPC |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | EPC2101ENGRT |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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EPC2101ENGRT Specifiche
Produttore | EPC |
Serie | eGaN® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
Potenza - Max | - |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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