EPC2049ENGRT
Solo per riferimento
| Numero parte | EPC2049ENGRT |
| PNEDA Part # | EPC2049ENGRT |
| Descrizione | GANFET TRANS 40V BUMPED DIE |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.964 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
EPC2049ENGRT Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | EPC2049ENGRT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- EPC2049ENGRT Datasheet
- where to find EPC2049ENGRT
- EPC
- EPC EPC2049ENGRT
- EPC2049ENGRT PDF Datasheet
- EPC2049ENGRT Stock
- EPC2049ENGRT Pinout
- Datasheet EPC2049ENGRT
- EPC2049ENGRT Supplier
- EPC Distributor
- EPC2049ENGRT Price
- EPC2049ENGRT Distributor
EPC2049ENGRT Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | +6V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 805pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / Custodia | Die |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore STMicroelectronics Serie DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 4.5V Vgs (massimo) +21V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6895pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 695pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK33 Pacchetto / Custodia SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 18V Vgs (massimo) +22V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 103W Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247N Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 189nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 Pacchetto / Custodia TO-220-3, Short Tab |
