EPC2049ENGRT
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| Numero parte | EPC2049ENGRT |
| PNEDA Part # | EPC2049ENGRT |
| Produttore | EPC |
| Descrizione | GANFET TRANS 40V BUMPED DIE |
| Prezzo unitario |
|
| Disponibile | 14.964 |
| Magazzini | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
| Pagamento |  |
| Spedizione |  |
| Consegna stimata | ago 5 - ago 10 (Scegli Spedizione rapida) |
| Garanzia | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
EPC2049ENGRT Risorse
| Brand | EPC |
| Mfr. Numero di parte | EPC2049ENGRT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
EPC2049ENGRT Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | +6V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 805pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / Custodia | Die |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 124W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LPTS Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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