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EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

Solo per riferimento

Numero parte EPC2030ENGRT
PNEDA Part # EPC2030ENGRT
Produttore EPC
Descrizione GANFET NCH 40V 31A DIE
Prezzo unitario
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
Disponibile 26.238
Magazzini USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Consegna stimata ago 4 - ago 9 (Scegli Spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2030ENGRT Risorse

Brand EPC
Mfr. Numero di parteEPC2030ENGRT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

EPC2030ENGRT Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Vgs (massimo)+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
Pacchetto / CustodiaDie

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

74W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 5A

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 225°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2015pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2830pF @ 10V

Funzione FET

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Dissipazione di potenza (max)

89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Certificates

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