EPC2021
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| Numero parte | EPC2021 |
| PNEDA Part # | EPC2021 |
| Descrizione | GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 29.760 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2021 Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2021 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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EPC2021 Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | +6V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / Custodia | Die |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 188pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
