Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

EPC2007C

EPC2007C

Solo per riferimento

Numero parte EPC2007C
PNEDA Part # EPC2007C
Descrizione GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
Produttore EPC
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 139.368
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2007C Risorse

Brand EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEPC2007C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
EPC2007C, EPC2007C Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 894,9 KB)
PDFEPC2007C Datasheet Copertura
EPC2007C Datasheet Pagina 2 EPC2007C Datasheet Pagina 3 EPC2007C Datasheet Pagina 4 EPC2007C Datasheet Pagina 5 EPC2007C Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • EPC2007C Datasheet
  • where to find EPC2007C
  • EPC

  • EPC EPC2007C
  • EPC2007C PDF Datasheet
  • EPC2007C Stock

  • EPC2007C Pinout
  • Datasheet EPC2007C
  • EPC2007C Supplier

  • EPC Distributor
  • EPC2007C Price
  • EPC2007C Distributor

EPC2007C Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V
Vgs (massimo)+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDie Outline (5-Solder Bar)
Pacchetto / CustodiaDie

I prodotti a cui potresti essere interessato

AOD3T40P

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

139pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NDD04N50Z-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

308pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

61W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRLB3036PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11210pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

380W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SCT3030ALHRC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 13.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 18V

Vgs (massimo)

+22V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1526pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

262W

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

FDB86569-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2520pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

LM393DT

LM393DT

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.4MA 8-SOIC

AD820BRZ

AD820BRZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC

MC7805ACTG

MC7805ACTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A TO220AB

YC324-JK-0710KL

YC324-JK-0710KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 2012

AT24C1024BW-SH-T

AT24C1024BW-SH-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

NFM41PC155B1H3L

NFM41PC155B1H3L

Murata

CAP FEEDTHRU 1.5UF 20% 50V 1806

REF193GSZ

REF193GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3V 8SOIC

FSA4159L6X

FSA4159L6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT 6MICROPAK

AD7768BSTZ

AD7768BSTZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 64LQFP

ISL9205IRZ-T

ISL9205IRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC CHRGR LI-ION SGL 4.2V 16-QFN

MAX3485ESA+

MAX3485ESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

1SMC48A TR13

1SMC48A TR13

Central Semiconductor Corp

TVS DIODE 48V 77.4V SMC