EMG2DXV5T5G
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| Numero parte | EMG2DXV5T5G |
| PNEDA Part # | EMG2DXV5T5G |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.330 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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EMG2DXV5T5G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EMG2DXV5T5G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
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EMG2DXV5T5G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 230mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-553 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 2.2kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA, 700mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V, 60V Resistenza - Base (R1) 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA, 100nA Frequenza - Transizione 185MHz Potenza - Max 600mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
