EMD6FHAT2R
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| Numero parte | EMD6FHAT2R |
| PNEDA Part # | EMD6FHAT2R |
| Descrizione | PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.168 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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EMD6FHAT2R Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EMD6FHAT2R |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
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EMD6FHAT2R Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
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Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 125mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SSMini6-F3-B |
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Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47kOhms, 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 150MHz, 80MHz Potenza - Max 125mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SSMINI6-F1 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-666 |
