EFC2J013NUZTDG
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| Numero parte | EFC2J013NUZTDG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | EFC2J013NUZTDG | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 14.475 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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EFC2J013NUZTDG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EFC2J013NUZTDG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
EFC2J013NUZTDG, EFC2J013NUZTDG Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 127,51 KB)
  
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EFC2J013NUZTDG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.8W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WLCSP (2x1.49) |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x5) |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Funzione FET Depletion Mode Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (Max) @ Id 360mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
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