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EDF8164A3PK-GD-F-D

EDF8164A3PK-GD-F-D

Solo per riferimento

Numero parte EDF8164A3PK-GD-F-D
PNEDA Part # EDF8164A3PK-GD-F-D
Descrizione IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.592
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EDF8164A3PK-GD-F-D Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEDF8164A3PK-GD-F-D
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
EDF8164A3PK-GD-F-D, EDF8164A3PK-GD-F-D Datasheet (Totale pagine: 160, Dimensioni: 3.330,38 KB)
PDFEDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Copertura
EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 2 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 3 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 4 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 5 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 6 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 7 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 8 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 9 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 10 EDF8164A3PK-JD-F-R Datasheet Pagina 11

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EDF8164A3PK-GD-F-D Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR3
Dimensione della memoria8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore216-FBGA (12x12)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

48-miniBGA (6x8)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

NAND512W3A2SE06

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

M25P80-VMW6G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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