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EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

Solo per riferimento

Numero parte EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
PNEDA Part # EDB8164B4PT-1DIT-F-R-TR
Descrizione IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.424
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR, EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Datasheet (Totale pagine: 152, Dimensioni: 1.983,99 KB)
PDFEDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Copertura
EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 2 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 3 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 4 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 5 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 6 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 7 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 8 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 9 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 10 EDB8164B4PT-1DAT-F-R Datasheet Pagina 11

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EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore216-FBGA (12x12)

I prodotti a cui potresti essere interessato

S25FL064LABNFB043

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-L

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (4x4)

71V25761S183BG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

CY7C1470V33-167BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

M25PX80-VMN3TPB TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AT49LV002-12VI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-VSOP

Venduto di recente

WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

WSL2010R0100FEA18

WSL2010R0100FEA18

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

4608X-101-153LF

4608X-101-153LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 15K OHM 8SIP

YC324-JK-072KL

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Yageo

RES ARRAY 4 RES 2K OHM 2012

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

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7443320068

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FIXED IND 2.2UH 2.5A 28 MOHM SMD