EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
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| Numero parte | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
| PNEDA Part # | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-TR |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.988 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 134-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
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