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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Solo per riferimento

Numero parte EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
PNEDA Part # EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 3.078
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D, EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Datasheet (Totale pagine: 137, Dimensioni: 12.382,97 KB)
PDFEDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Copertura
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 2 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 3 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 4 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 5 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 6 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 7 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 8 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 9 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 10 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 11

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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-FBGA (10x11.5)

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Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S25FS256SDSBHM203

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FS-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

25AA080A-I/W15K

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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