EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Solo per riferimento
| Numero parte | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR |
| PNEDA Part # | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R-TR |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.418 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR, EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Datasheet
(Totale pagine: 137, Dimensioni: 12.382,97 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Datasheet
- where to find EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR PDF Datasheet
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Stock
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Pinout
- Datasheet EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Price
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Distributor
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 134-WFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 134-FBGA (10x11.5) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 768Gb (96G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore 132-VBGA (12x18) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 132-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 132-LBGA (12x18) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 6ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIJ |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60ns Tempo di accesso 110ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-FBGA (9x9) |
