EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
Solo per riferimento
| Numero parte | EDB1316BDBH-1DAUT-F-D |
| PNEDA Part # | EDB1316BDBH-1DAUT-F-D |
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.542 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | EDB1316BDBH-1DAUT-F-D |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D, EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Datasheet
(Totale pagine: 145, Dimensioni: 1.817,13 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Datasheet
- where to find EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
- EDB1316BDBH-1DAUT-F-D PDF Datasheet
- EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Stock
- EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Pinout
- Datasheet EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
- EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Price
- EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Distributor
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 134-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Single Wire Frequenza di clock 100kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 64-TQFP (14x14) |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 32-PLCC (11.35x13.89) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60ns Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (256 x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-MAP (3x4.9) |
