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ECH8655R-R-TL-H

ECH8655R-R-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte ECH8655R-R-TL-H
PNEDA Part # ECH8655R-R-TL-H
Descrizione MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.546
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ECH8655R-R-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteECH8655R-R-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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ECH8655R-R-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-ECH

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

860mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

TLM832DS

SSM6N36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6 (1.6x1.6)

DMT47M2LDV-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NVDD5894NLT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2103pF @ 25V

Potenza - Max

3.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak 5-Lead

SP8K31FRATB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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