ECH8649-TL-H
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| Numero parte | ECH8649-TL-H | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | ECH8649-TL-H | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 9.048 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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ECH8649-TL-H Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ECH8649-TL-H |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ECH8649-TL-H Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-ECH |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 10V Potenza - Max 27W, 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore 6-PowerPair™ |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 10V Potenza - Max 19.8W, 21.9W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
