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DZ3600S17K3B2NOSA1

DZ3600S17K3B2NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte DZ3600S17K3B2NOSA1
PNEDA Part # DZ3600S17K3B2NOSA1
Descrizione DIODE MODULE GP 1700V AIHM190-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.204
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DZ3600S17K3B2NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDZ3600S17K3B2NOSA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
DZ3600S17K3B2NOSA1, DZ3600S17K3B2NOSA1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 241,67 KB)
PDFDZ3600S17K3B2NOSA1 Datasheet Copertura
DZ3600S17K3B2NOSA1 Datasheet Pagina 2 DZ3600S17K3B2NOSA1 Datasheet Pagina 3 DZ3600S17K3B2NOSA1 Datasheet Pagina 4 DZ3600S17K3B2NOSA1 Datasheet Pagina 5

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DZ3600S17K3B2NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Configurazione diodi3 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1700V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.2V @ 3600A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr3050A @ 900V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreA-IHM190-1

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

470mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

TSF40L45C C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

BAV70WT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

6ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

MBRB1560CTHE3_A/I

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

7.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 7.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

DSB60C45HB

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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