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DXTA42-13

DXTA42-13

Solo per riferimento

Numero parte DXTA42-13
PNEDA Part # DXTA42-13
Descrizione TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.320
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DXTA42-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDXTA42-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
DXTA42-13, DXTA42-13 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 149,93 KB)
PDFDXTA42-13 Datasheet Copertura
DXTA42-13 Datasheet Pagina 2 DXTA42-13 Datasheet Pagina 3 DXTA42-13 Datasheet Pagina 4

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DXTA42-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)300V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 2mA, 20mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 10V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione50MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89-3

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 8mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 4A, 3V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

20MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

MT-3-A1

2SA1930,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

180V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220NIS

JANS2N3440

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/368

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

2µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39 (TO-205AD)

JANTXV2N2906A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/291

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 2.5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

630 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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