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DTD114GKT146

DTD114GKT146

Solo per riferimento

Numero parte DTD114GKT146
PNEDA Part # DTD114GKT146
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DTD114GKT146 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDTD114GKT146
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DTD114GKT146, DTD114GKT146 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 288,91 KB)
PDFDTD114GKT146 Datasheet Copertura
DTD114GKT146 Datasheet Pagina 2 DTD114GKT146 Datasheet Pagina 3 DTD114GKT146 Datasheet Pagina 4 DTD114GKT146 Datasheet Pagina 5

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DTD114GKT146 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)-
Resistenza - Base Emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 50mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT3

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80mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

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PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Serie

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

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Pacchetto / Custodia

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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