DSK10B-BT
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| Numero parte | DSK10B-BT |
| PNEDA Part # | DSK10B-BT |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.092 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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DSK10B-BT Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DSK10B-BT |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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DSK10B-BT Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore SMC Diode Solutions Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore SMC (DO-214AB) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore WeEn Semiconductors Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 650V Capacità @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 40V Capacità @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
