DSI75-12B
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| Numero parte | DSI75-12B |
| PNEDA Part # | DSI75-12B |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 110A DO203 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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DSI75-12B Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DSI75-12B |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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DSI75-12B Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 110A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.17V @ 150A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6mA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 700µA @ 650V Capacità @ Vr, F 590pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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