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DS28E10P+T

DS28E10P+T

Solo per riferimento

Numero parte DS28E10P+T
PNEDA Part # DS28E10P-T
Descrizione IC EPROM 224 1WIRE
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS28E10P+T Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS28E10P+T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS28E10P+T, DS28E10P+T Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 833,85 KB)
PDFDS28E10R-W15+1T Datasheet Copertura
DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 2 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 3 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 4 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 5 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 6 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 7 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 8 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 9 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 10 DS28E10R-W15+1T Datasheet Pagina 11

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DS28E10P+T Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria224b (28 x 8)
Interfaccia di memoria1-Wire®
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.8V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOC

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

4.5µs

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VFBGA (1.5x2)

16-1004144-01-T

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

W972GG6JB-3 TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-WBGA (11x13)

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT24C02D-MAHM-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

4.5µs

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

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