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DS28E01P-100+

DS28E01P-100+

Solo per riferimento

Numero parte DS28E01P-100+
PNEDA Part # DS28E01P-100
Descrizione IC EEPROM 1K 1WIRE 6TSOC
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 100.130
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DS28E01P-100+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS28E01P-100+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS28E01P-100+, DS28E01P-100+ Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 272,36 KB)
PDFDS28E01G-100+T&R Datasheet Copertura
DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 2 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 3 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 4 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 5 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 6 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 7 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 8 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 9 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 10 DS28E01G-100+T&R Datasheet Pagina 11

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DS28E01P-100+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (256 x 4)
Interfaccia di memoria1-Wire®
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso2µs
Tensione - Alimentazione2.85V ~ 5.25V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOC

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Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

AT29C010A-15PI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

93C46AT-E/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

S25FL128SDSBHV203

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

QMP125FL216K0PMFI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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