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DS2016-100+

DS2016-100+

Solo per riferimento

Numero parte DS2016-100+
PNEDA Part # DS2016-100_5B
Descrizione IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS2016-100+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS2016-100+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS2016-100+, DS2016-100+ Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 162,69 KB)
PDFDS2016R-100+ Datasheet Copertura
DS2016R-100+ Datasheet Pagina 2 DS2016R-100+ Datasheet Pagina 3 DS2016R-100+ Datasheet Pagina 4 DS2016R-100+ Datasheet Pagina 5 DS2016R-100+ Datasheet Pagina 6 DS2016R-100+ Datasheet Pagina 7 DS2016R-100+ Datasheet Pagina 8

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DS2016-100+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia24-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore24-PDIP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

BR25S128FJ-WE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP-J

7026S20J8

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

93C86C-I/S15K

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

70V9089L15PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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