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DS1250ABP-70+

DS1250ABP-70+

Solo per riferimento

Numero parte DS1250ABP-70+
PNEDA Part # DS1250ABP-70
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario
1 ---------- $844,1600
50 ---------- $804,5900
100 ---------- $765,0200
200 ---------- $725,4500
400 ---------- $692,4750
500 ---------- $659,5000
Disponibile 287
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS1250ABP-70+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS1250ABP-70+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS1250ABP-70+, DS1250ABP-70+ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 236,32 KB)
PDFDS1250YP-100+ Datasheet Copertura
DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 2 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 3 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 4 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 5 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 6 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 7 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 8 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 9 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 10

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DS1250ABP-70+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.75V ~ 5.25V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia34-PowerCap™ Module
Pacchetto dispositivo fornitore34-PowerCap Module

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

24AA01-I/MS

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

3500ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

4MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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