DRA2115E0L
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| Numero parte | DRA2115E0L |
| PNEDA Part # | DRA2115E0L |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 |
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.048 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 27 - lug 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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DRA2115E0L Risorse
| Brand | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DRA2115E0L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
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DRA2115E0L Specifiche
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 100 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 200mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione 180MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006B-3 |
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