DMT68M8LFV-13
Solo per riferimento
| Numero parte | DMT68M8LFV-13 |
| PNEDA Part # | DMT68M8LFV-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.812 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMT68M8LFV-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | DMT68M8LFV-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DMT68M8LFV-13 Datasheet
- where to find DMT68M8LFV-13
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMT68M8LFV-13
- DMT68M8LFV-13 PDF Datasheet
- DMT68M8LFV-13 Stock
- DMT68M8LFV-13 Pinout
- Datasheet DMT68M8LFV-13
- DMT68M8LFV-13 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMT68M8LFV-13 Price
- DMT68M8LFV-13 Distributor
DMT68M8LFV-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ CE Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x2) Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSII Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore UFM Pacchetto / Custodia 3-SMD, Flat Leads |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
