DMT3011LDT-7
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| Numero parte | DMT3011LDT-7 |
| PNEDA Part # | DMT3011LDT-7 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.338 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMT3011LDT-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMT3011LDT-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMT3011LDT-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A, 10.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 641pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.9W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V-DFN3030-8 (Type K) |
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