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DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP4065SQ-7
PNEDA Part # DMP4065SQ-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT23 T&R
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 71.082
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 5 - lug 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP4065SQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP4065SQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP4065SQ-7, DMP4065SQ-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 437,12 KB)
PDFDMP4065SQ-13 Datasheet Copertura
DMP4065SQ-13 Datasheet Pagina 2 DMP4065SQ-13 Datasheet Pagina 3 DMP4065SQ-13 Datasheet Pagina 4 DMP4065SQ-13 Datasheet Pagina 5 DMP4065SQ-13 Datasheet Pagina 6 DMP4065SQ-13 Datasheet Pagina 7

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  • DMP4065SQ-7 Distributor

DMP4065SQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds587pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)720mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

STMicroelectronics

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1050V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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