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DMP21D0UFB-7

DMP21D0UFB-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP21D0UFB-7
PNEDA Part # DMP21D0UFB-7
Descrizione MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP21D0UFB-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP21D0UFB-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP21D0UFB-7, DMP21D0UFB-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 403,17 KB)
PDFDMP21D0UFB-7 Datasheet Copertura
DMP21D0UFB-7 Datasheet Pagina 2 DMP21D0UFB-7 Datasheet Pagina 3 DMP21D0UFB-7 Datasheet Pagina 4 DMP21D0UFB-7 Datasheet Pagina 5 DMP21D0UFB-7 Datasheet Pagina 6 DMP21D0UFB-7 Datasheet Pagina 7

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DMP21D0UFB-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C770mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs495mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 8V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds76.5pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)430mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacchetto / Custodia3-UFDFN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

61A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2417pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

87W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK (TO-251)

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 140µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

41W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMP2035UFDF-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1808pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.03W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type F)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

IPA60R750E6XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

373pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

27W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1423pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)

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Pacchetto dispositivo fornitore

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