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DMP2104V-7

DMP2104V-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP2104V-7
PNEDA Part # DMP2104V-7
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 56.448
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2104V-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2104V-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP2104V-7, DMP2104V-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 423,04 KB)
PDFDMP2104V-7 Datasheet Copertura
DMP2104V-7 Datasheet Pagina 2 DMP2104V-7 Datasheet Pagina 3 DMP2104V-7 Datasheet Pagina 4 DMP2104V-7 Datasheet Pagina 5 DMP2104V-7 Datasheet Pagina 6

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DMP2104V-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.1A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 16V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)850mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

H²PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

IRFP4229PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4560pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

FDP2670

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

93W (Tc)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRF6603

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta), 92A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+20V, -12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6590pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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