Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMP2035U-7

DMP2035U-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP2035U-7
PNEDA Part # DMP2035U-7
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.415.754
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2035U-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2035U-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP2035U-7, DMP2035U-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 289,59 KB)
PDFDMP2035U-7 Datasheet Copertura
DMP2035U-7 Datasheet Pagina 2 DMP2035U-7 Datasheet Pagina 3 DMP2035U-7 Datasheet Pagina 4 DMP2035U-7 Datasheet Pagina 5 DMP2035U-7 Datasheet Pagina 6 DMP2035U-7 Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMP2035U-7 Datasheet
  • where to find DMP2035U-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP2035U-7
  • DMP2035U-7 PDF Datasheet
  • DMP2035U-7 Stock

  • DMP2035U-7 Pinout
  • Datasheet DMP2035U-7
  • DMP2035U-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP2035U-7 Price
  • DMP2035U-7 Distributor

DMP2035U-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1610pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)810mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRFD110

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRFR210TRL

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

JANTXV2N6770

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/543

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AE (TO-3)

Pacchetto / Custodia

TO-204AE

PSMN041-80YLX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1108pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

64W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

IRL520NSTRR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

IS82C54

IS82C54

Renesas Electronics America Inc.

IC OSC PROG TIMER 8MHZ 28PLCC

AS5263-HQFM

AS5263-HQFM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

LM211DT

LM211DT

STMicroelectronics

IC VOLTAGE COMPARATOR 8-SOIC

4608X-102-102LF

4608X-102-102LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8SIP

ISL6269BCRZ

ISL6269BCRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

64900001039

64900001039

Littelfuse

FUSE BLOCK CART 250V 6.3A PCB

LPC4330FBD144,551

LPC4330FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT ROMLESS 144LQFP

HMC7044LP10BE

HMC7044LP10BE

Analog Devices

IC JITTER ATTENUATOR 68LFCSP

TR2/TCP1.25-R

TR2/TCP1.25-R

Eaton - Electronics Division

FUSE BRD MNT 1.25A 250VAC 2SMD

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX

MK64FN1M0VLL12

MK64FN1M0VLL12

NXP

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100LQFP

L272D

L272D

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 16SO