DMNH6011LK3Q-13
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| Numero parte | DMNH6011LK3Q-13 |
| PNEDA Part # | DMNH6011LK3Q-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.578 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMNH6011LK3Q-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMNH6011LK3Q-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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DMNH6011LK3Q-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49.1nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3077pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Vgs (massimo) 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2847pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
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