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DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN63D1LDW-13
PNEDA Part # DMN63D1LDW-13
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.966
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN63D1LDW-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN63D1LDW-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN63D1LDW-13, DMN63D1LDW-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 531,67 KB)
PDFDMN63D1LDW-7 Datasheet Copertura
DMN63D1LDW-7 Datasheet Pagina 2 DMN63D1LDW-7 Datasheet Pagina 3 DMN63D1LDW-7 Datasheet Pagina 4 DMN63D1LDW-7 Datasheet Pagina 5 DMN63D1LDW-7 Datasheet Pagina 6

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DMN63D1LDW-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V
Potenza - Max310mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Potenza - Max

272mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 10V

Potenza - Max

27W, 48W

Temperatura di esercizio

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5245pF @ 30V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

855pF @ 20V

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Vgs (th) (Max) @ Id

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