Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMN33D8LTQ-13

DMN33D8LTQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN33D8LTQ-13
PNEDA Part # DMN33D8LTQ-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN33D8LTQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN33D8LTQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN33D8LTQ-13, DMN33D8LTQ-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 489,13 KB)
PDFDMN33D8LTQ-7 Datasheet Copertura
DMN33D8LTQ-7 Datasheet Pagina 2 DMN33D8LTQ-7 Datasheet Pagina 3 DMN33D8LTQ-7 Datasheet Pagina 4 DMN33D8LTQ-7 Datasheet Pagina 5 DMN33D8LTQ-7 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMN33D8LTQ-13 Datasheet
  • where to find DMN33D8LTQ-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN33D8LTQ-13
  • DMN33D8LTQ-13 PDF Datasheet
  • DMN33D8LTQ-13 Stock

  • DMN33D8LTQ-13 Pinout
  • Datasheet DMN33D8LTQ-13
  • DMN33D8LTQ-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN33D8LTQ-13 Price
  • DMN33D8LTQ-13 Distributor

DMN33D8LTQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

I prodotti a cui potresti essere interessato

PMN40UPEAX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta), 8.33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

IRFH5250DTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6115pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

TSM020N04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7942pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

DMP3085LSS-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

563pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN2024U-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

647pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

4610X-101-332LF

4610X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 3.3K OHM 10SIP

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

LTC3703EGN#TRPBF

LTC3703EGN#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 16SSOP

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

ISL99227IRZ

ISL99227IRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

MMSZ5229B-7-F

MMSZ5229B-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123

MAX815TESA+T

MAX815TESA+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU LP 8SOIC

ACPL-M21L-500E

ACPL-M21L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 5SO

FR014H5JZ

FR014H5JZ

ON Semiconductor

HI SIDE REV BIAS PROTECT 30V MLP

LNG995PFBW

LNG995PFBW

Panasonic Electronic Components

LED BLUE 5.8MM OVAL T/H

ARF444

ARF444

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

38212000410

38212000410

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 2A 250VAC RAD