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DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3025LFDF-7
PNEDA Part # DMN3025LFDF-7
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.160
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3025LFDF-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3025LFDF-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN3025LFDF-7, DMN3025LFDF-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 347,9 KB)
PDFDMN3025LFDF-7 Datasheet Copertura
DMN3025LFDF-7 Datasheet Pagina 2 DMN3025LFDF-7 Datasheet Pagina 3 DMN3025LFDF-7 Datasheet Pagina 4 DMN3025LFDF-7 Datasheet Pagina 5 DMN3025LFDF-7 Datasheet Pagina 6

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DMN3025LFDF-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.9A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds641pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad

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IRFR120ZTRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APT32F120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

PMCM4402UPEZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

400mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-WLCSP (2x2)

Pacchetto / Custodia

4-XFBGA, WLCSP

FDMA520PZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1645pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

IRFH4201TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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