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DMN2104L-7

DMN2104L-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN2104L-7
PNEDA Part # DMN2104L-7
Descrizione MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.616
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN2104L-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN2104L-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN2104L-7, DMN2104L-7 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 124,45 KB)
PDFDMN2104L-7 Datasheet Copertura
DMN2104L-7 Datasheet Pagina 2 DMN2104L-7 Datasheet Pagina 3 DMN2104L-7 Datasheet Pagina 4

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DMN2104L-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.3A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.4W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

3-WDSON

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

MTW32N20EG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

AOT412

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A (Ta), 60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.6W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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