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DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN2023UCB4-7
PNEDA Part # DMN2023UCB4-7
Descrizione MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN2023UCB4-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN2023UCB4-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN2023UCB4-7, DMN2023UCB4-7 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 433,19 KB)
PDFDMN2023UCB4-7 Datasheet Copertura
DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 2 DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 3 DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 4 DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 5 DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 6 DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 7 DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 8 DMN2023UCB4-7 Datasheet Pagina 9

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DMN2023UCB4-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3333pF @ 10V
Potenza - Max1.45W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-XFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreX1-WLB1818-4

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

FW217A-TL-2W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MCH6602-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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