DMN2016LHAB-7
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Numero parte | DMN2016LHAB-7 |
PNEDA Part # | DMN2016LHAB-7 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.208 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN2016LHAB-7 Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMN2016LHAB-7 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
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DMN2016LHAB-7 Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.2W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2030-6 |
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